Samsung показала память, которая меняет правила игры: в 4 раза экономичнее и готова заменить 3D NAND
Samsung представила экспериментальную NAND-память нового поколения с рекордно низким энергопотреблением. Разработку описали в журнале Nature — инженеры объединили сегнетоэлектрические транзисторы и оксидные полупроводники, получив прототип, который работает при напряжении 4–6 В и хранит данные до 10 лет.
В двух словах: это самая технологически смелая попытка пересобрать флеш-память за последние годы. Для мобильных устройств, IoT и дата-центров это способ резко сократить энергопотребление.
Я часто пишу о том, как быстро меняется рынок технологий, и последний год это видно особенно ярко. Вот буквально недавно в материале о новых APU AMD я отмечал, что энергоэффективность стала центральной темой всей индустрии. И вот теперь Samsung подбрасывает очередной повод задуматься — не пора ли рынку флеш-памяти пересмотреть всё, что он считал «нормой».
Что именно придумала Samsung
Главный прорыв — использование сегнетоэлектрических транзисторов (FeFET) вместо традиционного «плавающего затвора». В качестве диэлектрика используется HfZrO, а канал выполнен на базе IGZO — того самого оксидного полупроводника, который долгое время применяли в энергоэффективных дисплеях.
В классической NAND для записи требуется напряжение до 20 В. Новый прототип Samsung укладывается в 4–6 В — то есть почти в четыре раза меньше. И это сразу решает несколько проблем: уменьшает износ, снижает нагрев и в разы упрощает питание в мобильной электронике. По сути, впервые за долгое время флеш-память перестала быть «прожорливым» компонентом.
Технология поддерживает хранение до 5 бит в ячейке (32 уровня заряда), выдерживает более 100 000 циклов и не теряет данные больше 10 лет. И — что важно — полностью совместима с существующими CMOS-процессами, так что производственные линии не придётся перестраивать с нуля.
Что это значит для рынка
Если Samsung доведёт эту память до массового производства, выиграют буквально все сегменты — от смартфонов до крупных дата-центров. На фоне растущих энерготрат для ИИ-инфраструктуры любые технологии, снижающие потребление, становятся стратегическими. И можно ожидать, что новые чипы в перспективе окажутся в наборах для устройств уровня MacBook Pro и других флагманов, где каждый ватт действительно важен.
Меня особенно впечатляет, что эта архитектура подходит для вертикальной 3D-компоновки. Это значит, что плотность хранения можно наращивать без риска «убить» ресурс — одна из ключевых проблем современного QLC и PLC-поколений.
Пока Samsung молчит о сроках коммерческого запуска, но сам факт появления рабочей схемы FeFET-памяти — серьёзный сигнал рынку. Индустрия явно ищет замену текущей NAND-архитектуре, и у этой разработки есть шанс стать именно тем самым «поколением после 3D NAND».
Источник: Nature
