Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro показали на живом фото
В сеть попало новое живое фото предполагаемого Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro. Будущий флагманский чип Qualcomm получил необычно крупный корпус, а одной из причин может быть новая компоновка памяти: DRAM больше не располагается непосредственно над основной горячей частью процессора, освобождая место для отдельного теплоотвода.
Фотографию опубликовал инсайдер @LaidBackDev_. На корпусе видны обозначения SM8975 и 101-BC. Это не первый инженерный образец SM8975, появившийся в открытом доступе: ещё в августе в Китае продавались экземпляры с маркировкой SM8975-100-BC. Однако новая фотография позволяет ещё раз рассмотреть необычную конструкцию будущего мобильного процессора.
Есть и нюанс с названием. Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro — именно под таким именем SM8975 долго фигурировал в утечках. Более свежие данные указывают, что коммерческое название может измениться на Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6. Qualcomm пока официально не представила платформу, поэтому до анонса оба названия стоит воспринимать как предварительные.
Главное изменение касается расположения оперативной памяти. В традиционной мобильной схеме Package-on-Package (PoP) пакет DRAM устанавливается над процессором. Это помогает экономить место на плате смартфона, но одновременно усложняет прямой отвод тепла от наиболее горячей части SoC.
Судя по утечке, в SM8975 Qualcomm может использовать другой подход: память смещена относительно основной зоны процессора, а над ней появляется место для отдельного теплоотводящего элемента. Похожий принцип уже используется Samsung в Exynos 2600 с технологией Heat Path Block.
Именно поэтому корректнее говорить не столько об отдельном «охлаждении памяти», сколько об изменении всего теплового пути внутри корпуса процессора. Чем меньше компонентов находится между горячим кристаллом и системой охлаждения смартфона, тем эффективнее потенциально можно передавать тепло дальше — например, на испарительную камеру.
Цена такого решения — площадь. Более крупный пакет приходится учитывать при проектировании системной платы, аккумулятора, камер и охлаждения смартфона. Во флагманских моделях, где производители буквально борются за каждый свободный миллиметр, это далеко не бесплатный компромисс.
Зато выигрыш может проявиться при длительной нагрузке. Если новая конструкция действительно эффективнее отводит тепло от SoC, CPU и GPU смогут дольше работать на высоких частотах до начала температурного троттлинга. Для игр и других тяжёлых задач устойчивость производительности зачастую важнее рекорда в коротком бенчмарке.
Маркировку 101-BC источник связывает с вариантом памяти LPDDR5X, однако одной надписи на корпусе недостаточно, чтобы окончательно подтвердить конфигурацию серийного чипа. Ранее уже появлялась информация о нескольких версиях SM8975 с разными типами памяти — подробнее об этом мы рассказывали в материале про две версии Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro.
Сам SM8975 также связывают с 2-нм техпроцессом TSMC N2P. Qualcomm этого пока не подтверждала, хотя сам N2P уже существует: TSMC планирует его массовое производство во второй половине 2026 года и заявляет улучшение производительности и энергоэффективности относительно N2.
До официального анонса остаются открытыми точные размеры пакета, финальная конфигурация памяти, частоты, энергопотребление и то, насколько заметный эффект новая система теплоотвода даст в реальных смартфонах.
Но направление интересное само по себе. Производительности флагманских мобильных SoC становится всё больше, и проблема уже не только в том, как выжать очередные проценты из CPU или GPU. Не менее важно вывести появившееся тепло из крошечного корпуса смартфона. Похоже, Qualcomm готова менять ради этого даже привычную компоновку самого процессорного пакета.
Источники: Wccftech.
