Micron отказалась от внедрения 4F² DRAM после 20 лет исследований
Micron не планирует внедрять архитектуру оперативной памяти 4F² DRAM, которую исследовала около двух десятилетий. Компания считает её слишком сложной и дорогой относительно получаемых преимуществ. Вместо этого Micron продолжит развивать существующую DRAM и параллельно готовить технологию 3D DRAM.
Позицию компании изложил президент и директор по технологиям и продуктам Скотт ДеБоер на технологическом вебинаре Micron 21 октября 2026 года. По его словам, за годы исследований компания создала несколько прототипов 4F², но не выбрала этот подход для коммерческого внедрения.
Обозначения 6F² и 4F² описывают площадь компоновки ячейки памяти. При одинаковом значении F переход от шести к четырём условным единицам означает уменьшение площади на треть. Однако переносить это соотношение непосредственно на плотность готовой микросхемы нельзя.
Главное ограничение, по объяснению ДеБоера, связано с размерами и шагом размещения конденсаторов. В ячейке DRAM конденсатор хранит заряд, а транзистор управляет доступом к нему. Разные конструкции транзисторов всё равно должны укладываться в геометрию, которую задают конденсаторы.
Поэтому более компактная компоновка сама по себе не гарантирует соответствующего увеличения количества битов на пластине. Именно представление о безусловном преимуществе 4F² перед 6F² ДеБоер назвал преувеличенным.
При этом Micron не утверждает, что изготовить 4F² невозможно. По словам руководителя, такую память можно построить на более старых технологических нормах, но производство будет сложнее и дороже. При дальнейшем масштабировании компания видит фундаментальные физические ограничения. Подробности этих ограничений в выступлении не раскрывались.
Это оценка Micron, основанная на её исследованиях и производственной стратегии, а не независимое доказательство бесперспективности любой реализации 4F².
Ближайшие планы компании связаны с дальнейшим развитием обычной DRAM. Поколение 1-delta (1δ) Micron рассчитывает вывести на массовое производство во второй половине 2027 года. ДеБоер связал его разработку с площадкой в Бойсе, штат Айдахо, уточнив, что производство будет развиваться и на других предприятиях.
Для следующего поколения, 1-epsilon (1ε), компания предусматривает соединение полупроводниковых пластин — wafer bonding. Параллельно изучаются новые материалы и другие способы продолжить масштабирование традиционной DRAM.
Разработка 3D DRAM идёт отдельным направлением. Micron пока не назвала дату выхода коммерческой памяти этой архитектуры. Решение о внедрении будет зависеть от себестоимости, сложности производства и характеристик устройств.
Поэтому заявление не означает немедленного перехода на трёхмерную память. Компания рассчитывает получить ещё несколько поколений обычной DRAM и подготовить альтернативу к моменту, когда её применение станет оправданным.
На уровне готовых продуктов развитие продолжается уже сейчас: ранее Micron передала партнёрам для проверки серверные модули DDR5 RDIMM объёмом 256 ГБ. Такие продукты и перспективная архитектура 3D DRAM находятся на разных этапах развития.
Главный выбор Micron — продолжать совершенствовать освоенные технологии, одновременно разрабатывая следующий подход к устройству памяти. Объявлять 4F² окончательно проигравшей, а 3D DRAM готовой заменой пока преждевременно: коммерческие результаты будущих решений ещё предстоит оценить.
