SK Hynix готовит HBM4E и расширяет производство памяти для ИИ

SK Hynix намерена укрепить свои позиции на рынке памяти для ИИ. Компания уже поставляет HBM4, готовит следующее поколение HBM4E и расширяет производственную инфраструктуру в Южной Корее и США. Глава компании Квак Но Чжон уверен: без развития технологий памяти дальнейший рост индустрии искусственного интеллекта попросту невозможен.

Об этом руководитель заявил 18 сентября на конференции Global Forum 2026 в Калифорнии. По его словам, спрос на память для ИИ останется высоким по мере развития вычислительных систем. Поэтому SK Hynix продолжит инвестировать в новые технологии, производственные площадки и исследовательские центры.

«Без памяти индустрия искусственного интеллекта не может существовать», — подчеркнул Квак Но Чжон. Он напомнил об успехах компании в разработке высокопропускной памяти HBM и заявил, что следующие поколения памяти откроют новые возможности для ИИ.

За громким заявлением стоит вполне конкретная стратегия: SK Hynix расширяет производство, совершенствует технологии упаковки микросхем и разрабатывает память для будущих вычислительных платформ.

От HBM4 к HBM4E: что готовит SK Hynix

Одним из главных направлений остаётся высокопропускная память HBM. Она объединяет несколько кристаллов DRAM в вертикальную конструкцию, обеспечивая высокую пропускную способность при передаче данных.

Такая память особенно востребована в ускорителях искусственного интеллекта. При обработке больших языковых моделей производительности вычислительных блоков недостаточно: данные необходимо передавать с соответствующей скоростью. В противном случае память становится одним из ограничивающих факторов системы.

SK Hynix уже перешла от разработки HBM4 к её коммерческим поставкам. Массовые отгрузки этой памяти начались во втором квартале 2026 года. Технология предназначена в том числе для вычислительных платформ NVIDIA Rubin.

Следующий этап — HBM4E. В июне 2026 года SK Hynix объявила о поставке образцов 12-слойной памяти HBM4E крупным заказчикам. Заявленная максимальная скорость передачи данных достигает 16 Гбит/с на контакт, а энергоэффективность улучшена более чем на 20% по сравнению с предыдущим поколением.

Однако поставка образцов ещё не означает начало массового производства. Для HBM4E компания пока не объявила точную дату перехода к крупносерийным коммерческим поставкам.

Новый завод в США: инвестиции более $4 млрд

Разработка памяти — лишь часть стратегии SK Hynix. Компании необходимо расширять производственные мощности, чтобы удовлетворять растущий спрос со стороны разработчиков ИИ-ускорителей и операторов дата-центров.

В Южной Корее SK Hynix развивает полупроводниковый кластер в Йонине, провинция Кёнгидо. В США компания строит предприятие в Уэст-Лафейетте, штат Индиана.

Американский проект предусматривает инвестиции более $4 млрд. Предприятие будет специализироваться на передовой упаковке и тестировании высокопропускной памяти HBM.

Здесь есть важный технологический нюанс. Основные полупроводниковые пластины будут производиться в Южной Корее, после чего их отправят в Индиану для дальнейшей обработки, упаковки и тестирования.

SK Hynix рассчитывает открыть чистые производственные помещения нового предприятия к октябрю 2028 года. Начало массового производства HBM запланировано на вторую половину 2029 года.

Кроме того, компания создаёт в США глобальный исследовательский центр искусственного интеллекта. Новая инфраструктура должна помочь SK Hynix быстрее разрабатывать память для следующих поколений вычислительных систем и теснее сотрудничать с технологическими партнёрами.

DDR6 и LPDDR6: что изменится для обычных пользователей

Хотя основное внимание сейчас приковано к серверным ускорителям, SK Hynix продолжает развивать и другие направления DRAM.

В частности, компания работает над памятью DDR6 для будущих компьютерных платформ. Однако точные сроки появления коммерческих продуктов и их характеристики в рамках Global Forum 2026 не раскрывались.

С мобильной памятью LPDDR6 ситуация определённее. Ещё в марте 2026 года SK Hynix объявила о разработке 16-гигабитного чипа LPDDR6 на основе техпроцесса 1c.

По заявлению производителя, новая память обеспечивает примерно на 33% более высокую скорость передачи данных и более чем на 20% лучшую энергоэффективность по сравнению с LPDDR5X. Компания планировала начать поставки во второй половине 2026 года.

LPDDR6 предназначена прежде всего для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств, включая модели с локальными функциями искусственного интеллекта.

Таким образом, стратегия SK Hynix охватывает сразу несколько направлений: от памяти для мощных серверных ускорителей до энергоэффективных решений для мобильной электроники.

При этом развитие ИИ делает рынок памяти всё более конкурентным. Помимо традиционных соперников Samsung и Micron, собственные технологии DRAM активно развивает китайская CXMT.

Для SK Hynix новые поколения памяти и расширение производственных мощностей становятся способом сохранить позиции на этом рынке. Однако реальные результаты инвестиционной стратегии будут зависеть не только от спроса на ИИ, но и от сроков ввода предприятий в эксплуатацию, производственных возможностей и успешного освоения новых технологий.

Источник: Wccftech